Soldador de tubo de alta frequência de estado sólido 300KW SiC-MOSFET

Soldador de tubo de alta frequência de estado sólido 300KW SiC-MOSFETadota SiC mosfet e tem resistência a altas temperaturas e alta pressão.SiC mosfet usado principalmente nas placas do módulo de potência.Este tipo de placas de energia usadas no soldador de tubos de alta frequência de estado sólido.

Parâmetros técnicos:

Potência de saída nominal: 300kW

Modo de soldagem: tipo de indução

Tensão CC nominal: 240V

Corrente CC nominal: 1500A

Frequência nominal: 300 KHZ

Toda a eficiência: η≥85%

Tensão de alimentação: trifásica 380V/50Hz (o equipamento pode funcionar na tensão 380V±5%)

Capacidade de distribuição de energia: ≥360kVA

Características de desempenho

Resistência a altas temperaturas e altas pressões: o SiC permite a criação de dispositivos de potência deSoldador de tubo de alta frequência de estado sólido 300KW SiC-MOSFEToperando de forma confiável mesmo em ambientes de alta temperatura. O SiC possui uma intensidade de campo de ruptura para isolamento dez vezes maior que a do Si, permitindo a produção de dispositivos de energia de alta tensão com concentrações de dopagem aumentadas e espessuras de filme de camada de deriva mais finas em comparação com dispositivos baseados em Si.

Miniaturização e design leve de dispositivos: dispositivos de carboneto de silício (SiC) deSoldador de tubo de alta frequência de estado sólido 300KW SiC-MOSFEToferecem condutividade térmica e densidade de potência superiores, simplificando os sistemas de dissipação de calor e facilitando a miniaturização do dispositivo e a construção leve.

Operação em alta frequência e baixa perda de energia: Os dispositivos SiC operam em frequências até dez vezes maiores que os dispositivos baseados em silício, mantendo a eficiência sem perdas à medida que a frequência aumenta, resultando em uma redução de quase 50% na perda de energia. Além disso, o aumento da frequência operacional reduz o volume de componentes periféricos, como indutores e transformadores, levando à redução do volume do sistema e dos custos dos componentes.

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